تحقیق تكنولوژي ساخت 8 ص ( ورد)
دسته بندي :
دانش آموزی و دانشجویی »
دانلود تحقیق
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
دسته بندی : وورد
نوع فایل : word (..doc) ( قابل ويرايش و آماده پرينت )
تعداد صفحه : 9 صفحه
قسمتی از متن word (..doc) :
«تكنولوژي (ساخت) Super Flash EEPROM»
معرفي:
اين مقاله تكنولوژي ذخيره سازي سيليكوني را توضيح مي دهد. در اين محصول سلول حافظه گيت و بازيابي تونل به روش ميداني تشريح شده است. تكنولوژي Super flash و سلول حافظه از نظر طراحي داراي مزاياي مهمي هستند و سازنده EEPROM هاي Flash در زمان استفاده از ابزارهاي منطقي در مقايسه با گيت Stack (پشته) اكسيد يا تكنيك 2 ترانزيستوري از قابليت عملكرد و آزادي عمل بيشتري برخوردار است. علاوه بر آن اين تكنولوژي داراي مزيتهاي قيمت كمتر و قابليت اطمينان بيشتر است. اين تكنولوژي با استفاده از لايه هاي كمتر از پردازش ساده تري برخوردار است كه در مقايسه با انواع ديگر قابل مقايسه است. عمدتاً كاهش مراحل و هزينه هاي لايه گذاري، سبب كاهش قيمت نهايي محصول مي شود. حافظه گيت مجزا SST از نظر اندازه و حجم اشغال شده در مقايسه با انواع ترانزيستوري آن بسيار قابل توجه است، علاوه بر اينكه سهولت استفاده و قابليت اطمينان بالا نيز در آن بيشتر است. براساس طراحي، سلول حافظه مجزاي SST ، براي هر سلول حافظه مربوط به رديف بيت از overerase استفاده مي كند. اختلال در پاك كردن براي همه بايتهاي مربوط به يك صفحه يا صفحات ديگر ممكن است ايجاد شود، اين بدليل انجام فرآيند در ولتاژ بالا است.
تزريق كننده (انژكتور) ايجاد تونل بازيابي ميداني:
سلول EEPROM :
اين تزريق كننده يك ترانزيستور سلول حافظه مجزا است كه براي ايجاد تونل Fowler-Nordheim بمنظور پاك كردن و يا تزريق الكترون در كانال سورس در برنامه ريزي حافظه استفاده مي شود. ايجاد تونل چند قطبي با استفاده از انژكتور (ترزيق كننده) ميداني در يك گيت شناور (معلق) با استفاده از اكسيداسيون استاندارد يا تكنيكهاي etching صورت مي گيرد. انژكتور كانال سفت Source (سورس) كه تزريق كننده الكترون است بسيار كارآمد و مؤثر است و با استفاده از يك چيپ (تراشه) بسيار كوچك با تغذيه 5 يا 3 ولت اين عمليات را انجام مي دهد. سلولها معمولاً قبل از برنامه ريزي، پاك مي شوند. اندازه و ابعاد سلول حافظه گيت مجزا با سلولهاي حافظه متداول كه از تكنولوژي پردازش يكسان استفاده مي كنند، قابل مقايسه و قابل ملاحظه است. اين امر ممكن است بدليل موارد زير ايجاد شده باشد. سلول انژكتور ايجاد كننده تونل نيازي به فضاي زياد بمنظور عايق كاري در جريانها و ولتاژهاي بالا ندارد. علاوه بر آن ساختار ساده آن سبب مي شود كه بسياري از توابع منطقي در عمليات پاك كردن آن حذف شوند. سلول انژكتور ايجاد كننده تونل از فرآيند (تكنولوژي) CMOS استاندارد استفاده مي كند. آرايه هاي حافظه مي توانند در حالت دسترسي تصادفي يا دسترسي متوالي و پي در پي طراحي شده باشند.
ساختار سلولي:
برشهاي مقطعي سلولي با نماهاي متفاوت در تصاوير 1A و 1B نشان داده شده اند. از ديدگاه سطح مقطع يك مسير بيت و يك سطح مقطع SEM در تصاوير 2A و 2B نشان داده شده اند. از تركيب سيليكون 2 ظرفيتي براي ارتباط گيتها در امتداد يك مسير
word استفاده شده است. فلز بكار رفته در درين (drain) براي هر سلول حافظه در امتداد رديف بيت قرار دارد.
يك سورس مشترك در هر صفحه بكار رفته است كه در آن هر زوج بيت بصورت مشترك از يك سورس استفاده مي كنند. با تركيب رديفهاي زوج و فرد در يك صفحه پاك شده، عمليات صورت مي گيرد. برنامه ريزي ممكن است حتي بصورت بايت بايت انجام شود و يا اينكه تمام بايتهاي يك صفحه بصورت لحظه اي و به يكباره برنامه ريزي شوند. ناحيه درين از نفوذ (عمق) به ميزان n+S/D برخوردار است، كه لبه هاي آن توسط گيت كنترلي 2، تحت كنترل است. ناحيه سورس ار عمق n+S/D برخوردار است كه داراي هم پوشاني با قسمت شناور است. يك سلول در دروازه شناور بمنظور كنترل آستانه (هدايت) سلول و ولتاژ مربوطه استفاده شده است. گيت انتخابي بوسيله يك كانال با پهناي 40mm از كانال (اصلي) جدا شده است. گيت شناور از كانال و نفوذ سورس به آن بوسيله كشت گرمايي (حراريي) به ميزان 15nm و بصورت اكسيد در گيت جدا شده است. گيت شناور از گيت كنترلي بوسيله اكسيد 40nm و از لبه ها بصورت عمودي و در حد فاصل بين گيتها با اكسيد 200nm جدا شده است. انژكتور ايجاد كننده تونل در گيت شناور بصورت اكسيداسيون چندگانه سيليكوني عمل مي كند و فرم (شكل) انجام اكسيداسيون بصورت «bird beak» مي باشد كه بر روي يك سيليكون كريستالي صورت مي گيرد. يك تركيب سيليكون دو ظرفيتي را مي توان در گيت كنترلي بمنظور كاهش مقاومت رديف word استفاده كرد.
2-3 طرح شماتيك آرايه سلولي:
طرح سلولي نشان داده شده در شكل 3A نحوه سازماندهي و ترتيب قرارگيري منطقي آرايه حافظه را نشان مي دهد. مدار معادل اين تركيب بهمراه نشان دادن ظرفيت خازني بين مسيرها در شكل 4 نشان داده شده است. براي سلول حافظه گيت مجزا كانال بين درين و سورس بوسيله تركيبي از ترانزيستور گيت مورد نظر و ترانزيستور گيت حافظه كنترل مي شود. ترانزيستور حافظه داراي آستانه منفي كم يا زياد مي تواند باشد كه اين امر به ميزان بار الكتريكي ذخيره شده در يك گيت شناور بستگي دارد. در طول عمليات خواندن اطلاعات، اين ولتاژ مرجع در گيت كنترلي و گيت انتخابي و via در مسير word بكار گرفته مي شود. ولتاژ مرجع با انتخاب ناحيه كانال، اعمال مي شود. اگر گيت شناور قبلاً برنامه ريزي شده باشد، بخشي از ترانزيستور حافظه بصورت عايق باقي مي ماند و سيگنال را انتقال نخواهد داد. اگر گيت شناور پاك شده باشد، اين سلول حافظه، هادي خواهد بود. حالت هدايت خروجي از نظر منطقي با «1» و حالت عايقي (غيرهادي) با «0» نشان داده مي شود. در شكل 3A بخشي از يك آرايه حافظه ترتيبي را كه با 8 سلول حافظه چيده شده است و سازمان دهي شده و در آن سلولهاي حافظه در 2 ستون، با 2 مسير سورس و 8 رديف word قرار گرفته اند، نشان داده شده است. تصوير 3B يك سلول حافظه معادل را نشان مي دهد كه چگونگي ايجاد وضعيت منطقي براي سلول گيت مجزا بمنظور ترانزيستور انتخابي مورد نظر و ترانزيستور حافظه را نشان مي دهد. ولتاژ اعمال شده به ترمينال در هر مرحله در جدول 1 ارائه شده است. در طي عمليات پاك كردن كانال براساس ولتاژ مسير word جهت گيري كرده و از حالت اوليه منحرف مي شود. در طي برنامه ريزي كانال (گاهي) دچار تخليه مي شود. نسبتهاي ترويجي